碳化硅作為一種高性能材料，因其獨特的物理和化學性質(zhì)，在半導體行業(yè)中，特別是作為涂層材料時，展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。一代材料，一代裝備；一代材料，一代創(chuàng)新。山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)入?yún)^(qū)企業(yè)山西中電科公司瞄準國內(nèi)半導體市場需求，自主研發(fā)了碳化硅化學氣相沉積裝備，技術(shù)指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平，可為半導體關(guān)鍵設(shè)備核心部件涂上碳化硅材料外衣，助力設(shè)備更好支撐我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
半導體設(shè)備在半導體產(chǎn)業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色，是芯片制造的“硬核工具”，而為這些硬核工具所需的關(guān)鍵部件涂上涂層“外衣”的設(shè)備可謂“幕后英雄”，是整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的組成部分。山西中電科公司自主研發(fā)的碳化硅化學氣相沉積裝備，就是執(zhí)行這一涂層工藝的關(guān)鍵設(shè)備，可為現(xiàn)在需求量日益增加的硅/碳化硅外延設(shè)備、金屬有機化學氣相沉積設(shè)備、刻蝕機等設(shè)備的核心部件進行碳化硅涂層制備。
該裝備有臥式和立式兩種爐體形式，采用高精度溫控系統(tǒng)，實現(xiàn)對沉積腔室溫度的精準調(diào)控；搭配高效真空系統(tǒng)，利用熱場/流場數(shù)值模擬技術(shù)，對工藝過程進行仿真分析。設(shè)備經(jīng)過多次工藝優(yōu)化調(diào)試，生產(chǎn)效率大幅提升，順利實現(xiàn)涂層制品純度≥99.9999%，碳化硅涂層制品厚度100μm±10%，主要晶型、晶向、硬度等關(guān)鍵技術(shù)指標達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。目前，設(shè)備已獲得國內(nèi)多家行業(yè)頭部客戶的應(yīng)用和認可。
據(jù)悉，山西中電科公司將堅持技術(shù)創(chuàng)新，利用已有技術(shù)積淀，繼續(xù)研發(fā)碳化鉭化學氣相沉積裝備、熱解石墨氣相沉積裝備、碳化硅塊體氣相沉積裝備等，持續(xù)擴大產(chǎn)品矩陣，引領(lǐng)半導體領(lǐng)域氣相沉積裝備快速發(fā)展，助力我國半導體產(chǎn)業(yè)向更高水平邁進。
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